二氧化镓 (GaN) 是一种光纤隙A43EI235E积体电路材料，电流耐热能力比现代硅材料高很多，而且不会影响偏压阻抗操控性，因而能减少偏压耗损。此外，GaN商品的控制器节能也比二氧化物电晶体高，进而能获得极低的控制器耗损。控制器振幅更高意味著应用领域阻抗能选用体积更小的有源电子元件。
所有这些缺点让结构设计相关人员能够增加输出功率开关控制器的总耗损（增加热能），提高节能。 因而，GaN 能更快地全力支持电子商品高性能，比方说，与目前随地常用的插座较之，选用GaN 电晶体的PC机适配器更小、更轻。
泰高科技的执行官商品CFO Tino Pan 表示：“如前所述 GaN 的商品民用已经是输出功率积体电路的下一个攻坚克难期，我们准备好释放出来而此令人激动的技术发展潜力。今天，泰高科技正式发布了合封二氧化镓半桥输出功率晶片的新系列产品的第这款商品，为消费需求、轻工业和电动汽车控制器增添开创性的操控性。
半桥阻抗是水电家电行业的重要基础，应用领域在智能机和笔记本电脑充电器，电视节目，太阳能电池板，网络系统和电动车等情景中。直面不断增长的市场，TagoreTech 泰高科技面世了这款软件系统驱动力的合封二氧化镓半桥输出功率晶片TTHB100NM，上面电池头网为大家如是说一下这款新机的特征。
泰高科技 TTHB100NM 是这款软件系统2颗增强型二氧化镓650V 100mΩ 二氧化镓控制器管及对应的驱动力器的半桥输出功率晶片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，晶片内软件系统了用于高侧的启动控制器。
泰高科技 TTHB100NM 组成的二氧化镓半桥，改为一颗电子元件取代，大大减小适配器初级元件数量和面积。
泰高科技 TTHB100NM 具有12V~20V的宽控制器工作范围，可应用领域在DC–DC转换、逆变器、手机/笔记本电脑插座、LED/电机驱动力、图腾柱无桥PFC 应用领域、高频LLC转换器、服务器/AC-DC控制器、有源钳位反激等情景中。
泰高科技 TTHB100NM 晶片选用低电感8mm×10mm QFN封装，低电感封装的软件系统驱动力器允许在高压和高频中安全运行。控制器振幅高达2MHz，传输延迟低至50ns，全力支持50V/ns dV/dT 抗扰度。
上图为泰高 TTHB100NM 输出功率晶片的引脚说明图，晶片选用外接阻抗控制转换速率以抑制电磁干扰，可通过具有TTL和/或CMOS阈值的PWM信号（单端或差分）运行。
深圳市泰高科技有限公司主要从事如前所述第三代积体电路 硅（Si）基二氧化镓 及 碳化硅（SiC）基二氧化镓技术的软件系统阻抗研发和销售，所研发的二氧化镓晶片已经被超过 60 家欧美国际大公司及30家国内大公司的选用。
TagoreTech 泰高科技的研发团队源于德国公司英飞凌, 其晶片结构设计中心位于美国芝加哥（Chicago），另外在印度设有研发分部，全球研发相关人员有 50 位以上， 其中超过 80% 研发相关人员拥有博士学历。研发团队的背景主要在射频二氧化镓领域深耕超过 10 余年，具有卓越的晶片结构设计能力。
TagoreTech 泰高科技现有商品包括 RF 射频控制器（GaN-On-Si 光纤技术） 、 射频高输出功率放大器（GaN-On-SiC DHEMT 技术）、控制器输出功率晶片（GaN-On-Si EHEMT 技术）和 射频低噪声放大器（GaAs 技术） 四大系列产品，技术处于国际领先水平。
TagoreTech 泰高科技专注于AC-DC中高输出功率二氧化镓商品结构设计，已和onsemi / NXP / JWT / Silergy / KIWI / Southchip / Ismartware等积体电路品牌成为重要合作伙伴。为了中高输出功率的商品可靠性测试，2022年4月泰高科技与航天科创检测有限公司签署合作，建立联合实验室；将使用国家级设备为AC-DC中高输出功率二氧化镓商品提供高可靠性验证机制。
“泰高, 让结构设计变简单”是我们理想，实现这个理想得益于我们通过精巧的布局，使得工程师更加便捷设计，为商品更高效、更小、更可靠的全新解决方案增添更多可能。
TagoreTech 泰高科技面世的软件系统驱动力的合封二氧化镓半桥输出功率晶片 TTHB100NM，专为半桥架构的控制器控制器结构设计。TTHB100NM 选用的 8x10mm QFN封装，较之两颗现代的8*8的GaN控制器管加上独立的驱动力器，占板面积大大缩小。同时合封电子元件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高控制器商品的效率和可靠性。泰高科技 TTHB100NM 晶片，将于 2022 年第三季度提供样品。
关注微信